| 401 |
|
Особенности взаимодействия водорода Ca-Zr в системах Zr-H, Zr-vac-H и Zr-He-H: расчеты из первых принципов: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Л. А. Святкин ; науч. рук. И. П. Чернов, офиц. оппоненты : А. Г. Липницкий, С. Н. Филимонов; Нац. исслед. Томский политехнический ун-т. — Томск, 2018. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-22.
|
| 402 |
|
Закономерности изменения структуры, сорбционных свойств и деформационного поведения технического титана ВТ1-0 в результате электронно-пучковой обработки: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / О. М. Бородовицина ; науч. рук. А. В. Панин, офиц. оппоненты : И. В. Киреева, А. А. Клопотов; Нац. исслед. Томский политехнический ун-т, Новосибирский гос. техн. ун-т. — Томск, 2018. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-18.
|
| 403 |
|
Динамика релятивистского электронного потока в газонаполненном пространстве: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / А. М. Башкирев ; науч. рук. А. Г. Шеин, офиц. оппоненты : А. А. Короновский, С. П. Морев; Волгоградский гос. техн. ун-т, Саратовский гос. техн. ун-т им. Ю. А. Гагарина. — Волгоград, 2018. — 16 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16.
|
| 404 |
|
Измерение параметров микронных электронных пучков высокой энергии на основе переходного излучения: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.20 / Л. Г. Сухих ; науч. рук. работы А. П. Потылицын, офиц. оппоненты : А. С. Кубанкин, О. И. Мешков, М. Н. Стриханов; Нац. исслед. Томский политехнический ун-т, Московский гос. ун-т им. М. В. Ломоносова. — Томск, 2018. — 42 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 40-42.
|
| 405 |
|
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / С. Г. Сысоева ; науч. рук. В. И. Олешко, офиц. оппоненты : С. В. Никифоров, Е. И. Липатов; Нац. исслед. Томский политехнический ун-т, Ин-т физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН. — Томск, 2018. — 23 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 20-23.
|
| 406 |
|
Динамика вихревой топологической структуры в объеме отдельной наночастицы титаната бария во внешнем электрическом поле: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Д. А. Карпов ; науч. рук. Ю. Ю. Крючков, офиц. оппоненты : В. Я. Шур, Н. А. Емельянов; Нац. исслед. Томский политехн. ун-т, Томский гос. ун-т систем управления и радиоэлектроники. — Томск, 2018. — 23 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-23.
|
| 407 |
|
Формирование градиентных структур TIN/TI/Zr-1Nб вакуумными ионно-плазменными методами для защиты от проникновения водорода: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Е. Б. Кашкаров ; науч. рук. Н. Н. Никитенко, офиц. оппоненты : А. М. Борисов, Г. П. Грабовецкая; Нац. исслед. Томский политехнический ун-т, Нац. исслед. ядерный ун-т "МИФИ". — Томск, 2018. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-22.
|
| 408 |
|
Магнитная восприимчивость и особенности кинетики намагничивания высокодисперсных магнитных наносистем: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / А. Г. Испирян ; науч. рук. Ю. И. Диканский, офиц. оппоненты : А. О. Иванов, А. Г. Рекс; Северо-Кавказский федеральный ун-т, Московский гос. ун-т им. М. В. Ломоносова. — Ставрополь, 2018. — 24 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 23-24.
|
| 409 |
|
Люминесценция промышленных ИАГ люминофоров для светодиодов : автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / А. Т. Тулегенова ; науч. рук. В. М. Лисицын, офиц. оппоненты : Е. Ф. Мартынович, В. Ф. Тарасенко; Нац. исслед. Томский политехнический ун-т, Уральский федеральный ун-т им. первого Президента России Б. Н. Ельцина. — Томск, 2018. — 24 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 24.
|
| 410 |
|
Формирование дозных полей индивидуальной конфигурации клинических пучков электронов с помощью полимерных изделий, изготовленных посредством технологий трехмерной печати: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.20 / И. А. Милойчикова ; науч. рук. А. П. Потылицын, офиц. оппоненты: А. С. Кубанкин, В. В. Рыжов; Нац. исслед. Томский политехнический ун-т, Петербургский ин-т ядерной физики им. Б. П. Константинова. — Томск, 2018. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 19-22.
|
| 411 |
|
Генерация терагерцового излучения при коллективных взаимодействиях электронных и лазерных пучков с плазмой: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.08 / И. В. Тимофеев ; науч. конс. К. В. Лотов, офиц. оппоненты: И. Ю. Костюков, А. А. Кузнецов, В. И. Орешкин; Ин-т ядерной физики им. Г. И. Будкера СО РАН, Физический ин-т им. П. Н. Лебедева РАН. — М., 2018. — 20 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-20.
|
| 412 |
|
Исследование источника отрицательных ионов водорода для инжектора высокоэнергетичных нейтралов: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.20 / О. З. Сотников ; науч. рук. работы А. Л. Санин, офиц. оппоненты: Г. Ю. Юшков, А. И. Крылов; Ин-т ядерной физики им. Г. И. Будкера СО РАН, Ин-т прикладной физики РАН. — М., 2018. — 24 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 23-24.
|
| 413 |
|
Инжектор пучка атомов водорода высокой яркости для источника поляризованных ионов: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.20 / А. В. Колмогоров ; науч. рук. работы А. С. Давыденко, офиц. оппоненты: А. С. Белов, С. В. Голубев; Ин-т ядерной физики им. Г. И. Будкера СО РАН, Международная межправительственная организация Объединенный ин-т ядерных исследований (Дубна). — М., 2018. — 13 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 12-13.
|
| 414 |
|
Макроскопические свойства композиционных сред на основе магнитных коллоидов, определяемые процессами микромасштабного структурообразования: автореферат дис. ... доктора физ.-мат. наук : 01.04.07 / А. Р. Закинян ; науч. конс. Ю. И. Диканский, офиц. оппоненты : М. С. Краков, В. В. Соколов, Е. А. Елфимова ; Северо-Кавказский федеральный ун-т, Московский гос. ун-т им. М. В. Ломоносова. — Ставрополь, 2019. — 39 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 35-38.
|
| 415 |
|
Физические процессы в сильноточных диодах со взрывной эмиссией электронов: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.08 / Н. А. Ратахин ; науч. рук. : Г. А. Месяц, Р. Б. Бакшт, офиц. оппоненты : Г. Н. Фурсей, Б. М. Федоров; Ин-т сильноточной электроники СО АН СССР (Томск), Ин-т высоких температур АН СССР (М.). — Новосибирск, 1981. — 15 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15.
|
| 416 |
|
Исследования генерации и применения мощных электронных пучков для нагрева термоядерных мишеней: автореферат дис. ... доктора физ.-мат. наук : 01.04.08 / В. П. Смирнов ; офиц. оппоненты : А. А. Иванов, А. А. Коломенский, Г. А. Месяц; Ин-т атомной энергии им. И. В. Курчатова, Ин-т ядерной физики СО АН СССР. — М., 1980. — 21 с. — Для служебного пользования. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-21.
|
| 417 |
|
Влияние многофотонного поглощения на вынужденное рассеяние и обращения волнового фронта эксимерного XеСI лазера : автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.21 / В. Б. Карпов ; науч. рук. работы В. В. Коробкин, офиц. оппоненты : Д. В. Власов, В. И. Ковалев; Ин-т общей физики РАН (М.), Ин-т высоких температур РАН (М.). — М., 1992. — 20 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-20.
|
| 418 |
|
Моделирование лазеров и ламп на переходах эксиплексных и эксимерных лазеров на парах меди с модифицированной кинетикой: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.21 / А. М. Бойченко ; офиц. оппоненты : А. С. Бирюков, И. И. Климовский, Л. А. Шелепин; Ин-т общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Науч.-исслед. ин-т электрофизической аппаратуры им. Д. В. Ефремова (СПб.). — М., 2005. — 44 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 38-44.
|
| 419 |
|
Молекулярные лазеры на эксимерах и органических красителях: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.21 / С. С. Ануфрик ; офиц. оппоненты: В. А. Орлович, Г. Б. Толсторожев, А. П. Шкадаревич; Гродненский гос. ун-т им. Я. Купалы. — Минск, 2000. — 42 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 32-39.
|
| 420 |
|
Параметрический анализ термоядерных реакторов с инерционным удержанием : автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.08 / Ю. К. Калмыков ; науч. рук. А. В. Комин, офиц. оппоненты : В. А. Бурцев, К. Б. Карташев; Науч.-исслед. ин-т электрофизической аппаратуры им. Д. В. Ефремова (Л.), Ин-т высоких температур АН СССР (М.). — Томск, 1985. — 20 с. — Для служебного пользования. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 19-20.
|
| 421 |
|
Исследование и разработка мощных импульсных CO2-лазеров с предельными энергетическими характеристиками и регулируемой формой импульса для плазменных экспериментов : автореферат дис. ... доктора физ.-мат. наук : 01.04.08, 01.04.04 / А. Г. Пономаренко ; офиц. оппоненты : Г. А. Месяц, Г. Г. Долгов-Савельев, Э. П. Кругляков; Ин-т теор. и прикл. механики СО АН СССР, Всесоюзн. науч.-исслед. ин-т экспериментальной физики. — Новосибирск, 1981. — 32 с. — Для служебного пользования. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 25-32.
|
| 422 |
|
Молекулярный перенос, разработка и исследование динамических сверхвысоковакуумных систем ускорителей и электрофизических комплексов : автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.20 / Г. Л. Саксаганский ; офиц. оппоненты : С. К. Есин, Г. Ф. Ивановский, И. А. Шелаев; Науч.-исслед. ин-т электрофизической аппаратуры им. Д. В. Ефремова, Харьковский физ.-техн. ин-т АН УССР. — М., 1985. — 39 с. — Для служебного пользования. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 32-39.
|
| 423 |
|
Температурная зависимость работы выхода вольфрама, гексаборида лантана и псевдосплава на их основе: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / В. К. Солонович ; науч. рук. А. В. Булыга, офиц. оппоненты : И. В. Буров, Л. И. Гречихин; Ин-т физики твердого тела и полупроводников АН БССР (Минск), Ин-т проблем материаловедения АН УССР. — Минск, 1987. — 16 с. — Для служебного пользования. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 14-16.
|
| 424 |
|
Экспериментальное исследование распространения РЭП в нейтральном газе: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.08 / Л. И. Уруцкоев ; науч. рук. работы В. П. Смирнов, офиц. оппоненты : А. А. Рухадзе, Б. Н. Яблоков; Ин-т атомной энергии им. И. В. Курчатова, Харьковский физ.-техн. ин-т АН УССР. — М., 1984. — 9 с. — Для служебного пользования. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 9.
|
| 425 |
|
Расчетно-теоретическое исследование электродинамических параметров интенсивных пучков в резонаторных ускоряющих структурах : автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.20 / М. А. Черногубовский ; науч. рук. работы М. Ф. Ворогушин, офиц. оппоненты: А. Д. Григорьев, А. К. Орлов; Науч.-исслед. ин-т электрофизической аппаратуры им. Д. В. Ефремова, Московский инж.-физ. ин-т. — Л., 1986. — 20 с. — Для служебного пользования. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-20.
|
| 426 |
|
Естественно-неупорядоченный полупроводниковый кристалл / Г. А. Бордовский, В. А. Извозчиков; Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена. — СПб.: Образование, 1997. — 422 с.: ил. — Библиогр.: с. 391-413. — ISBN 5-233-00324-4: 93.00.
|
| 427 |
|
Избранные труды : в 2-х т. / А. Ф. Иоффе ; АН СССР, Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе. — Л.; : Наука. Ленинградское отделение.
: Излучение. Электроны. Полупроводники. — Л.: Наука. Ленинградское отделение, 1975. — 471 с.: ил. — 2.30.
|
| 428 |
|
Введение в физику полупроводников: учеб. пособие для вузов по спец. "Полупроводники и диэлектрики" и "Технология спец. материалов электронной техники" / В. И. Фистуль. — 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Высшая школа, 1984. — 352 с.: ил. — Алф. указ.: с. 343-345. — Библиогр.: с. 346-348. — 1.10.
|
| 429 |
|
Электроны и фононы в ограниченных полупроводниках / Ф. Г. Басс, В. С. Бочков, Ю. Г. Гуревич. — М.: Наука, 1984. — 287 с.: ил. — Библиогр.: с. 281-287. — 3.00.
|
| 430 |
|
Действие излучений на полупроводники / В. С. Вавилов, Н. П. Кекелидзе, Л. С. Смирнов. — М.: Наука, 1988. — 191 с.: ил. — Предм. указ.: с. 188. — Библиогр.: с. 180-181. — ISBN 5-02-013834-7: 1.20.
|
| 431 |
|
Спецпрактикум по физике полупроводников / В. В. Остробородова, В. Д. Егоров. — М.; : Издательство Московского университета.
:. — М.: Издательство Московского университета, 1974. — 76 с.: ил. — Библиогр.: с. 76. — 0.16.
|
| 432 |
|
Неравновесные процессы в полупроводниках и диэлектриках. Физические науки: межвуз. сб. / Кишиневский гос. ун-т им. В. И. Ленина; редкол. : В. П. Мушинский (отв. ред.) [и др.]. — Кишинев: Штиинца, 1983. — 114 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.30. |
| 433 |
|
Квантовые процессы в полупроводниках / Б. Ридли ; пер. с англ. И. П. Звягина, А. Г. Миронова. — М.: Мир, 1986. — 304 с.: ил. — Библиогр. в конце глав. — 3.00.
|
| 434 |
|
Полупроводники / Р. Смит ; пер. с англ. под ред. Н. А. Пенина. — 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Мир, 1982. — 558 с.: ил. — Библиогр.: с. 200-207. — 2.70.
|
| 435 |
|
Фотоэлектрические процессы в полупроводниках: учеб. пособие для студ. физ. и электрофиз. фак. вузов / В. В. Сердюк, Г. Г. Чемересюк, М. Терек. — Киев; Одесса: Вища школа, 1982. — 151 с.: ил. — Библиогр.: с. 147. — 0.40.
|
| 436 |
|
Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда / В. Н. Овсюк ; отв. ред. А. В. Ржанов; СО АН СССР, Институт физики полупроводников. — Новосибирск: Наука. Сибирское отделение, 1984. — 253 с.: ил. — Библиогр.: с. 246-253. — 3.00.
В монографии с единых позиций рассмотрены основные электронные и фотоэлектрические явления в полупроводниках с областями пространственного заряда. Впервые изложена теория импеданса и высокочастотной фотоЭДС в МДП-структурах при произвольном неравновесном состоянии полупроводника, фотопроводимости в основной и примесной областях спектра, продольных эффектов в полупроводниках, а также импеданса и люкс-амперных характеристик гетеропереходов при наличии граничных электронных состояний. Книга рассчитана на научных работников, специализирующихся в области физики полупроводников и полупроводниковой электроники.
|
| 437 |
|
Физика конденсированного состояния: монография / В. А. Гольдаде, Л. С. Пинчук ; под ред. Н. К. Мышкина, рец.: В. П. Гольцев, В. А. Рудницкий; Институт механики металлополимерных систем им. В. А. Белого НАН Беларуси (Гомель). — Минск: Беларус. навука, 2009. — 657 с.: ил.; 24 см. — Библиогр.: с. 647-648. — ISBN 978-985-08-1045-8.
В книге изложены основные представления физики конденсированных сред. На основании понятий дальнего и ближнего порядков рассмотрена структура вещества в твердом и жидком состояниях. Изложены основы зонной теории твердых тел и квантово-механический подход к изучению структуры и свойств конденсированных сред. Описаны их основные свойства (механические, электрические, магнитные, оптические), термодинамика и явления переноса. взаимодействие излучений с веществом. Рассмотрен особый тип конденсированных тел - полимер, демонстрирующие многообразие надмолекулярных механических свойства. описаны методы экспериментального изучения конденсированных сред. Книга содержит большую совокупность физических терминов, включающую практически всю номенклатуру понятий физики конденсированного состояния. Предназначена главным образом для аспирантов и студентов, специализирующихся в физике конденсированных сред. Будет полезна при изучении курсов общей физики, физики магнетизма, оптики, физики полупроводников и диэлектриков.
|
| 438 |
|
Феноменологические основы импульсного электрического нагрева металлов: дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.13 / А. М. Искольдский; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск). — Новосибирск; Томск, 1985. — 218 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 211-218.
|
| 439 |
|
Быстропротекающие процессы при электрическом пробое и разряде в вакууме: дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.08 / Д. И. Проскуровский; АН СССР, Сиб. отд-ние. — Томск, 1980. — 374 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 342-374.
|
| 440 |
|
Наносекундные процессы при электрическом пробое и разряде в вакууме: дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.08 / Д. И. Проскуровский; АН СССР, Сиб. отд-ние. — Томск, 1980. — 376 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 342-376.
|
| 441 |
|
Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках / Рос. АН, Физико-технический ин-т им. А. А. Иоффе; Л. П. Казакова [и др.] ; отв. ред. К. Д. Цэндин. — СПб.: Наука, 1996. — 486 с.: ил., табл. — Библиогр.: с. 469-472. — ISBN 5-02-024812-6: 31000.00. |
| 442 |
|
Полупроводниковые приборы: учеб. пособие для вузов по спец. "Полупроводники и диэлектрики" и "Микроэлектронные приборы" / В. В. Пасынков, Л. К. Чиркин. — 4-е изд., перераб. и доп. — М.: Высшая школа, 1987. — 479 с.: ил. — Предм. указ.: с. 468-474. — 1.50.
|
| 443 |
|
Самосогласованные модели режимов распространения плазмы электрических разрядов в газах: дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.13 / Ю. К. Бобров; Всесоюзный электротехнический институт им. В. И. Ленина, Высоковольтный научно-исследовательский центр. — Истра, 1991. — 361 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 348-361.
|
| 444 |
|
Гетерогенные процессы в разрядах атмосферного давления, инициирующих плазмохимические реакции конверсии углеводородов: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.13, 01.04.18 / Н. С. Сочугов ; науч. рук. С. П. Бугаев, науч. конс. В. А. Кувшинов; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск). — Томск, 1997. — 132 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 124-132.
|
| 445 |
|
Фотоэлектрические и поляризационные явления в полупроводниках на сверхвысоких частотах: автореферат дис. ... канд. / Е. З. Мейлихов ; науч. рук. Д. А. Франк-Каменецкий; Московский физико-технический институт. — М., 1965. — 10 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 10.
|
| 446 |
|
Высокоэнергетическая электроника / Д. И. Вайсбурд [и др.] ; отв. ред. Д. И. Вайсбурд; АН СССР, Сиб. отд-ние, Институт сильноточной электроники. — Новосибирск: Наука. Сибирское отделение, 1982. — 224 с.: ил. — Библиогр.: с. 219-225. — 2.30. |
| 447 |
|
Нанотехнологии для микро- и оптоэлектроники: пер. с англ. А. В. Хачояна / Дж. М. Мартинес-Дуарт, Р. Дж. Мартин-Палма, Ф. Агулло-Руеда. — М.: Техносфера, 2007. — 368 с.: ил. — (Мир материалов и технологий). — ISBN 978-5-94836-126-0: 238.00.
В данной книге подробно описаны основные физические концепции, связанные с нанонаукой и нанотехнологиями, и возможности создания на их основе микроэлектронных и оптоэлектронных приборов нового поколения. В настоящее время издается много книг по новейшим разделам нанонауки, но почти отсутствуют учебники и пособия для студентов-старшекурсников и аспирантов, связанных с нанонаукой. Предлагаемая книга восполняет этот пробел, так как представляет собой ценное учебное и справочное пособие для студентов, специализирующихся в физике, материаловедении и некоторых других технических дисциплинах. Кроме того, книга может представить интерес для ученых и инженеров-практиков, желающих глубже понять принципы нанонауки и нанотехнологии.
|
| 448 |
|
Диэлектрики в наноэлектронике / В. А. Гриценко [и др.] ; отв. ред. А. Л. Асеев, рец.: В. Н. Овсюк, О. П. Пчеляков; Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН. — Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2010. — 257 с.: ил. — Библиогр. в конце глав. — ISBN 978-5-7692-1081-5: 5.00.
Монография посвящена физике и применению диэлектрических пленок в кремниевых приборах наноэлектроники. Рассмотрены строение пленок оксида и нитрида кремния, полупроводниковые нанокристаллы в диэлектрических пленках, электронная структура диэлектриков с высокойо диэлектрической проницаемостью, технология структур кремний-на-изоляторе, физика приборов флэш-памяти. Монография предназначена для научных сотрудников и и инженеров, специализирующихся в области физики полупроводников и полупроводниковых приборов, бакалавров. магистрантов и аспирантов, обучающихся по микроэлектронике и физике твердого тела.
|
| 449 |
|
Точечные дефекты в полупроводниках : экспериментальные аспекты / Ж. Бургуэн, М. Ланно ; пер. с англ. Ю. М. Гальперина, В. И. Козуба, Э. Б. Сонина, под ред. В. Л. Гуревича. — М.: Мир, 1985. — 304 с.: ил. — Предм. указ.: с. 298-300. — Библиогр.: с. 289-297. — 2.70.
|
| 450 |
|
IV Всесоюзная конференция "Тройные полупроводники и их применение": тез. докл. / АН СССР, Науч. совет по пробл. "Физика и химия полупроводников", Ин-т общ. и неорган. химии им. Н. С. Курнакова, Физический ин-т им. П. Н. Лебедева, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе, Ин-т прикл. физики АН МССР, Кишиневский гос. ун-т им. В. И. Ленина, Кишиневский политехн. ин-т им. С. Лазо; редкол. : С. И. Радауцан (отв. ред.) [и др.]. — Кишинев: Штиинца, 1983. — 311 с.: ил. — Библиогр. в конце докл. — 2.70.
|