| 16 |
|
Thin-film silicon solar cells: сборник / ed.: A. Shah. — Lausanne; Boca Raton: EPFL Press: CRC/Taylor & Francis, 2010. — XIX,430 p.: ill.; 25 cm. — (Engineering sciences. Micro- and nanotechnology). — Bibliogr. at the end of the chapters. — ISBN 978-1-4200-6674-6. — ISBN 978-2-940222-36-0: 3192.00. |
| 17 |
|
Методами атомно-силовой и просвечивающей электронной микроскопии исследованы морфология поверхности и структура тонких пленок двуокиси кремния, нитрид бора, а также их двухслойной композиции. Пленки наносились методом газофазного химического осаждения по подложки GaAs. Показано, что температура подложки оказывает существенное влияние на рельеф поверхности и внутреннюю микроструктуру диэлектрических пленок. Слои, нанесенные при 473К, имеют аморфное строение с кристаллическими включенииями, а при 573К и выше являются нанокристаллическими. Усатновлено качественное соответствие между морфологией поверхности и структурой исследованных пленок.
|
| 18 |
|
Исследование процессов импульсного осаждения и травления в хлоросодержащих газах под действием излучения эксимерных лазеров: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.21 / А. В. Кузмичев ; науч. рук.: В. И. Конов, В. П. Агеев, офиц. оппоненты: М. Н. Либенсон, К. Н. Ельцов; Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Научно-исследовательский центр технологических лазеров РАН (Шатура). — М., 1995. — 23 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 22-23.
|
| 19 |
|
Ионно-плазменные методы нанесения твердых аморфных углеродных покрытий на подложки большой площади: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.02 / К. В. Оскомов ; науч. рук.: С. П. Бугаев, Н. С. Сочугов; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск). — Томск, 2001. — 173 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 163-172.
|
| 20 |
|
Осаждение поликристаллических алмазных пленок в аномальном тлеющем разряде: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / С. А. Линник ; науч. рук. Г. Е. Ремнев, офиц. оппоненты Б. В. Спицын, Н. С. Сочугов; Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов. — Томск, 2013. — 24 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 24.
|