| 26 |
|
Дефекты в кремнии и на его поверхности / В. С. Вавилов, В. Ф. Киселев, Б. Н. Мукашев. — М.: Наука, 1990. — 216 с.: ил. — (Физика полупроводников и полупроводниковых приборов). — Библиогр.: с. 190-212. — ISBN 5-02-014023-6: 3.60.
|
| 27 |
|
Рентгенографический и электронно-оптический анализ: учеб. пособие для вузов по направлениям 550500-Металлургия, 651300-Металлургия, 651800-Физ. материаловедение / С. С. Горелик, Ю. А. Скаков, Л. Н. Расторгуев. — 4-е изд., перераб. и доп. — М.: МИСИС, 2002. — 360 с.: ил. — ISBN 5-87623-096-0: 110.00.
|
| 28 |
|
Фотонные кристаллы и нанокомпозиты: структурообразование, оптические и диэлектрические свойства = Photonic crystals and nanocomposites: structure formation, optical and dielectric properties / Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН (Красноярск), Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Институт теоретической и прикладной механики им. С. А. Христиановича СО РАН (Новосибирск), Новосибирский институт органической химии СО РАН (Новосибирск), Институт геологии и минералогии им. В. С. Соболева СО РАН (Новосибирск), Институт автоматики и электрометрии СО РАН (Новосибирск), Институт катализа им. Г. К. Борескова СО РАН (Новосибирск), Институт лазерной физики СО РАН (Новосибирск), Специальное конструкторско-технологическое бюро "Наука" КНЦ; отв. ред.: В. Ф. Шабанов, В. Я. Зырянов. — Новосибирск: Изд-во Сиб. отд-ния Рос. акад. наук, 2009. — 252, [4] с.: ил.; 25 см. — (Интеграционные проекты СО РАН). — Авт. указаны на 252-й с.; Работа выполнена в рамках Интеграционного проекта СО РАН № 33 "Развитие физико-химических основ создания фотонно-кристаллических структур для СВЧ- и оптоэлектронной техники", а также при частичной финансовой поддержке РФФИ, проекты № 07-02-0011, 08-03-01007. — Библиогр.: с. 232-251. — ISBN 978-5-7692-0669-6. — ISBN 978-5-7692-1096-9: 5.00.
Монография посвящена новому направлению в современной оптике и микроэлектронике, связанному с изучением фотонных кристаллов - структурно упорядоченных сред с масштабом периодичности, соразмерным длине волны электромагнитного излучения. Представлены результаты исследований коллектива авторов, выполненных в рамках интеграционного проекта СО РАН в 2006-2008 гг. Объектами теоретических и экспериментальных исследований явились различные фотонно-кристаллические структуры (опалы, мультислойные среды, упорядоченные микрокомпозиты и наноколлоиды, микрополосковые структуры), материалов и технологии для их формирования, методы управления оптическими и диэлектрическими свойствами. Книга предназначена специалистам по оптике, лазерной технике, спектроскопии конденсированных сред, материаловедению, нанофотонике, СВЧ-электронике, а также преподавателям и аспирантам соответствующих специальностей.
|
| 29 |
|
Физико-химические основы материаловедения / Г. Готтштайн; пер. с англ. К. Н. Золотовой, Д. О. Чаркина под ред. В. П. Зломанова. — М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2009. — 400 с.: ил.; 25 см. — (Лучший зарубежный учебник). — Библиогр.: с. 375-383. — ISBN 978-5-94774-769-0: 356.40.
В учебном пособии, написанном известным специалистом из Германии, имеющим многолетнюю преподавательскую практику, изложены основы современного материаловедения. При этом в полной мере использованы фундаментальные понятия, представления и закономерности из других областей знаний - физики, химии, математики, а также кристаллографии и металлургии. Рассмотрены различные модели, в том числе на основе фазовых диаграмм и теории химической связи. Большое внимание уделено применению термодинамических подходов при изучении материалов. Подробно обсуждаются теория дефектов в кристаллических твердых телах, процессы кристаллизации и рекристаллизации, способы управления составом композиционных материалов, структурная организация в стеклах и полимерах. Книга очень хорошо иллюстрирована. Для студентов и аспирантов университетов, а также других вузов, готовящих специалистов в области наук о материалах.
|
| 30 |
|
Cubic boron nitride: raman and luminescence investigations, prospects for use in opto- and microelectronics = Кубический нитрид бора: исследования комбинационного рассеяния и люминесценции, перспективы использования в опто- и микроэлектронике: монография / E. M. Shishonok ; рец.: И. А. Петруша, А. К. Федотов. — Minsk: Publ. center of BSU, 2009. — 263 p.: цв.ил.; 21 cm. — Bibliogr.: p. 233-262. — ISBN 978-985-476-711-6: 380.00.
В монографии представлены результаты исследований кубического нитрида бора (cBN) в различных морфологических формах (микропорошки, монокристаллы, керамические образцы и поликристаллы) методами ИК-спектроскопии, комбинационного рассеяния (КР), фото- и катодолюминесценции (ФЛ и КЛ). Освещаются аспекты влияния отклонения состава образцов от стехиометрического и легирования cBN на его ИК-спектры, спектры КР, ФЛ и КЛ и результаты получения и исследования светоизлучающих материалов на основе cBN, активированных редкоземельными элементами, обладающих интенсивной световой эмиссией в широком спектральном диапазоне (УФ, видимый, ИК) и перспективы использования указанных материалов в оптоэлектронике. Излагаются результаты практического использования метода ЭПР как способа определения относительных значений теплопроводности cBN с целью изготовления толстых пленок с высокой теплопроводностью для нужд микроэлектроники. Представлены результаты исследования физических свойств толстых пленок на основе cBN.
|