В справочнике изложены основные положения Единой системы конструкторской документации (ЕСКД), общие правила выполнения схем, правила выполнения чертежей изделий, изготовляемых с применением электрического монтажа. Приведены условные графические обозначения элементов электрических схем, что в значительной степени упрощает поиск необходимой информации. Рассчитан на инженерно-технических работников. связанных с выполнением электрических схем, эксплуатацией электротехнических и радиотехнических устройств и электронно-вычислительной техники, а также студентов вузов соответствующих специальностей и радиолюбителей.

Рассмотрены процессы спекания, обусловливающие усадку и сопутствующие ей, и основные закономерности, связывающие процесс уплотнения со свойствами исходных порошков при изотермическом и неизотермическом спекании. В главе о жидкофазном спекании приведены особенности уплотнения при образовании в спекаемом теле жидкой фазы и закономерности формирования структуры псевдосплава. Указаны особенности уплотнения двухфазных порошковых тел, а также показано влияние газовой среды на процесс уплотнения. Дана оценка современного состояния теории спекания и высказаны предположения о возможных направлениях дальнейшего развития теории. Книга предназначена для научных и инженерно-технических работников предприятий, научно-исследовательских и проектных организаций металлургической, машиностроительной, автомобильной и авиационно-космической техники, занимающихся разработкой и применением изделий из порошков и порошковых композиций. Может представлять интерес и для специалистов в области физики кристаллов, соприкасающихся с проблемами порошковой металлургии.

В книге представлены базовые понятия теории переходной схемотехники, необходимые для разработки новой элементной базы суперкомпьютеров различных типов. Теорию переходной схемотехники, необходимые для разработки новой элементной базы суперкомпьютеров различных типов. Теорию переходной схемотехники отличает новая компонентная концепция синтеза наноструктур, в которой минимальным компонентом для синтеза схем является не транзистор, а материал и переход (связь) между материалами. Приводятся данные экспериментального 2D и 3D моделирования физических и электрических процессов в кремниевых переходных наноструктурах с минимальным топологическим размеров 10-20 нм и сравнительный анализ 4-х типов схемотехник. Книга может быть рекомендована научным работникам, аспирантам и инженерам, специализирующимся в области разработки элементной базы суперкомпьютеров и альтернативных вычислительных систем, а также бакалаврам и магистрам, обучающимся по специальностям "Нанотехнология и микросистемная техника", "Электроника и наноэлектроника", "Вычислительные системы, комплексы и сети".