В обзоре изложены физико-химические аспекты формирования ультратонких силицидных пленок, используемых в детекторах ИК излучения на основе барьера Шотки. Основное внимание уделено свойствам и кинетике получения PtSi, Pd2Si, IrSi и RhSi, имеющим практическое применение. Уделено внимание различным факторам, влияющим на управление высотой барьера Шотки и однородностью стехиометрического состава силицидного слоя.

Книга посвящена истории создания, испытаний и промышленного производства отечественных военных лазеров. Показан вклад руководителей предприятий, ученых, инженеров, конструкторов, технологов и военных специалистов.

Рассматриваются теоретические основы силовых методов радиоэлектронной борьбы в условиях крайнего проявления конфликта в информационном пространстве. Излагаются принципы построения устройств силового поражения информационных систем, работающих в электромагнитных и акустических полях. Приводятся варианты построения устройств и систем радиоэлектронной борьбы. Для специалистов в области информационной и прежде всего радиоэлектронной борьбы. Может быть полезна преподавателям, аспирантам и студентам вузов.

В обзоре рассмотрены и проанализированы работы, опубликованные в зарубежной печати за последние 15 лет, по проблеме контроля распределения профиля концентрации легирующей примеси в эпитаксиальных диффузионных и ионно-имплантированных слоях соединений А3В5. Приводятся основные положения теории границы раздела полупроводник-электролит: модель энергетических уровней ионов в растворе, образование двойных слоев и распределение потенциала, а также основные электролитические процессы на границе раздела полупроводник-электролит. Проведено сравнение различных методик контроля распределения профиля концентрации носителей заряда и показаны преимущества электрохимического метода. Отмечены достоинства и перспективы использования электрохимического метода контроля концентрационного профиля. Проведена оценка ошибок данного метода.

В обзоре рассмотрены виды ионизирующих излучений, воздействующих на фотоприемники (ФП), и их влияние на параметры основных классов.Современная радиоэлектронная аппаратура военной и космической техники работает в условиях воздействия различных видов ионизирующего излучения (ИИ). В связи с этим к современным электронным и оптоэлектронным приборам предъявляются повышенные требования по стойкости к ИИ, необходимо также предусмотреть реакцию прибора на воздействие ИИ.В настоящее время выпускаются ФП, чувствительные во всем диапазоне ИК спектра, начиная от фотодиодов на основе кремния и арсенида галлия, ФП на основе КРТ и СОТ и кончая глубокоохлаждаемыми ФП на основе примесного кремния и германия.

В обзоре, подготовленном по открытым материалам зарубежной печати за последние 15 лет (проспекты, фирменные каталоги, рекламные сообщения и журнальные статьи), рассмотрены некоторые типы приборов ночного видения и тенденции их развития, приведены основные параметры и выделены характерные особенности очков ночного видения, прицелов, приборов наблюдения и разведки, производимых в зарубежных странах. На примере конкретных образцов показаны преимущества использования в новейших ПНВ фотокатодов на основе соединений типа АIIIBV, полимерных материалов и голографических оптических элементов.

В обзоре рассмотрены особенности процесса образования радиационных дефектов в соединениях и их постимплатационного отжига, закономерности активации внедренных примесных атомов, обеспечивающих электронную или дырочную проводимость слоев, влияние радиационных дефектов на структурные и электрические характеристики получаемых слоев. Обсуждается выбор легирующей примеси для изготовления различных приборных структур на основе InP и InGaAs.

В обзоре рассмотрена зависимость минимальной обнаруживаемой мощности фотоприемного устройства от различных характеристик системы. Отмечены основные характеристики, особенно сильно влияющие на чувствительность системы с лавинным фотодиодом (ЛФД) и системы с pin-фотодиодом и полевым транзистором (pin FET). Проведено сравнение минимальной обнаруживаемой мощности этих двух систем при различных скоростях передачи информации. Показано, что системы pin FET не будут уступать по чувствительности на высоких скоростях передачи информации системам ЛФД на основе InP/InGaAs (с разделенными областями лавинного умножения и фотогенерации) только при очень низких входных емкостях (~0,1 пФ). Рассмотрены основные виды современных ЛФД на основе различных материалов, в том числе ЛФД на сверхрешетках. Рассмотрены основные виды полевых транзисторов, в том числе полевые транзисторы, функционирование которых основано на эффекте двумерного электронного газа. Из приведенных данных следует, что наиболее быстродействующими и низкошумящими будут ЛФД на сверхрешетках и полевые транзисторы с двумерным электронным газом.

В обзоре рассмотрены различные конструкции многоэлементных фотоприемников на примесном кремнии: BIB-фотоприемники и фоторезисторы с DRO-коммутатором, приборы с зарядовой инжекцией, p-i-n фотодиоды с примесным поглощением излучения, инфракрасные полевые транзисторы и фотоприемники с кодовым питанием.