Сводный электронный каталог

научно-технических библиотек Томского научного центра СО РАН

Результат поиска

Результаты: 16 - 20 из 4374 для dc.subject any/relevant "физика полупров ... ( 0.121 сек.)

16
Нестеренко, Борис Алексеевич.
Физические свойства атомарно-чистой поверхности полупроводников / Б. А. Нестеренко, О. В. Снитко; АН УССР, Институт полупроводников. — Киев: Наукова Думка, 1983. — 264 с.: ил. — Библиогр.: с. 228-261. — 3.30.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
17
Тхорик, Юрий Александрович.
Пластическая деформация и дислокация несоответствия в гетероэпитаксиальных системах / Ю. А. Тхорик, Л. С. Хазан; АН УССР, Институт полупроводников. — Киев: Наукова думка, 1983. — 304 с.: ил. — Предм. указ.: с. 296-302. — Библиогр.: с. 270-292. — 3.60.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
18
Мартинес-Дуарт, Дж. М.
Нанотехнологии для микро- и оптоэлектроники: пер. с англ. А. В. Хачояна / Дж. М. Мартинес-Дуарт, Р. Дж. Мартин-Палма, Ф. Агулло-Руеда. — М.: Техносфера, 2007. — 368 с.: ил. — (Мир материалов и технологий). — ISBN 978-5-94836-126-0: 238.00.
В данной книге подробно описаны основные физические концепции, связанные с нанонаукой и нанотехнологиями, и возможности создания на их основе микроэлектронных и оптоэлектронных приборов нового поколения. В настоящее время издается много книг по новейшим разделам нанонауки, но почти отсутствуют учебники и пособия для студентов-старшекурсников и аспирантов, связанных с нанонаукой. Предлагаемая книга восполняет этот пробел, так как представляет собой ценное учебное и справочное пособие для студентов, специализирующихся в физике, материаловедении и некоторых других технических дисциплинах. Кроме того, книга может представить интерес для ученых и инженеров-практиков, желающих глубже понять принципы нанонауки и нанотехнологии.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
19
Атакова, Милидора Михайловна.
Гетероструктура ZnS-GaAs: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / М. М. Атакова ; науч. рук. П. Е. Рамазанов, офиц. оппоненты: Г. А. Воробьев, И. С. Захаров; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск), Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск), Одесский государственный университет им. И. И. Мечникова (Одесса). — Томск, 1974. — 15 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
20
Лупин, Владимир Михайлович.
Электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов CdS - GaAs, полученных эпитаксией сульфида кадмия из паровой фазы: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / В. М. Лупин ; науч. рук. П. Е. Рамазанов, офиц. оппоненты: А. П. Воробьев, И. С. Захаров; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск), Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск), Одесский государственный университет им. И. И. Мечникова (Одесса). — Томск, 1975. — 15 с. — Библиогр.: с. 14-15.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи