| 81 |
|
Современные инжекционные лазеры: монография / А. Е. Жуков, М. В. Максимов; С.-Петерб. физ.-технол. науч.-образоват. центр РАН. — СПб.: Издательство Политехнического университета, 2009. — 275, [1] с.: ил.; 21 см. — ISBN 978-5-7422-2406-8: 462.00.
Систематизированы физические принципы функционирования и особенности приборных характеристик современных полупроводниковых лазеров, использующих в качестве активной области полупроводниковые наноструктуры — квантовые ямы и массивы квантовых точек, затронуты технологические аспекты изготовления подобных лазеров, обобщены основные экспериментальные результаты в этой области. Издание адресовано студентам магистратуры технических вузов и аспирантам научных специальностей, связанных с лазерной физикой, приборами оптоэлектроники, физикой полупроводников, полупроводниковыми материалами, гетероструктурами и приборами на их основе.
|
| 82 |
|
Структурные модели стеклования чистых металлов и систем типа металл-металлоид: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Е. В. Левченко ; науч. рук. А. Т. Косилов, оппоненты: Б. М. Даринский, С. И. Курганский; Воронежский государственный технический университет (Воронеж), Тамбовский гос. ун-т. — Воронеж, 2002. — 17 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16-17.
|
| 83 |
|
Люминесценция кристаллов с оксианионами и оксидных стекол при возбуждении импульсами потока электронов : автореферат дис. ... доктора физ.-мат. наук : 01.04.07 / Е. Ф. Полисадова ; науч. конс. В. М. Лисицын, офиц. оппоненты: А. И. Непомнящих, И. А. Вайнштейн, Т. С. Шамирзаев; Нац. исслед. Томский политехнический ун-т, Ин-т электрофизики УрО РАН. — Томск, 2017. — 44 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 39-43.
|
| 84 |
|
Закономерности изменения структуры, сорбционных свойств и деформационного поведения технического титана ВТ1-0 в результате электронно-пучковой обработки: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / О. М. Бородовицина ; науч. рук. А. В. Панин, офиц. оппоненты : И. В. Киреева, А. А. Клопотов; Нац. исслед. Томский политехнический ун-т, Новосибирский гос. техн. ун-т. — Томск, 2018. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-18.
|
| 85 |
|
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / С. Г. Сысоева ; науч. рук. В. И. Олешко, офиц. оппоненты : С. В. Никифоров, Е. И. Липатов; Нац. исслед. Томский политехнический ун-т, Ин-т физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН. — Томск, 2018. — 23 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 20-23.
|