Рассматриваются вопросы, связанные с новыми тенденциями развития кремниевой наноэлектроники, увеличением чувствительности нанопроволочных химических и биологических сенсоров, созданием ПЗС-фотоматриц высокой плотности и чувствительности и их применение в цифровой фото- и видоеоаппаратуре. Приведены основные сведения об особенностях энергетического спектра и транспорта носителей заряда в одномерных системах (квантовых проводниках) и углеродных нанотрубках. Кратко изложены термины, принципы, достижения и перспективы в таких быстро развивающихся областях, как магнитоэлектроника (спинтроника) и фотонные кристаллы. Пособие предназначено для студентов старших курсов и аспирантов, специализирующихся в области полупроводниковой нанотехнологии, микро- и наноэлектроники.

В издании представлен обзор основных минеральных и органических наполнителей для пластмасс, их производства, структуры и свойств, а также применения. В первой части содержится общее введение в полимерные композиционные материалы, представление параметров, влияющих на механические и реологические свойства полимеров, содержащих функциональные наполнители, обзор оборудования для смешения и составления смесей, описаны методы введения наполнителей в расплавленные и жидкие полимеры. Во второй части рассмотрены проблемы повышения эффективности функциональных наполнителей. В третьей части описаны наиболее важные органические и неорганические функциональные наполнители и приведены примеры существующих и возможных областей их применения. Авторы книги имеют большой авторитет в области наполнителей и усиливающих элементов для пластмасс; они представляют промышленность, академическую науку, консультативные и прикладные научно-исследовательские организации. Их различный опыт и подход нашел отражение в содержании написанных ими глав, стиле изложения, расстановке акцентов предлагаемой информации.

В работе показано, что высокое значение термоЭДС S в металлизированнных углеродных нанотрубках (УНТ) при низких температурах определяется двумя факторами: структурными неоднородностями и изменением электронной структуры, как за счет беспорядка, так и благодаря межэлектронному взаимодействию. Первый фактор осуществлен в пучках УНТ, а второй - в одностенных нанотрубках. При этом статические неоднородности и совокупность оборванных связей одинаково важны при рассеянии электронов, формирующих перенос в металлизированных УНТ.