| 111 |
|
Технология микроэлектронных устройств: Справочник / З. Ю. Готра ; рец. Ю. З. Бубнов. — М.: Радио и связь, 1991. — 528 с.: табл. — Библиогр.: с. 526. — ISBN 5-256-00699-1: 4.00.
Рассмотрены механические, химические, ионные, плазменные, электронно-лучевые и другие методы обработки в технологии микроэлектронных устройств. Обобщены данные по выращиванию монокристаллов, диффузии, эпитаксии, ионной имплантации, технологии тонких пленок, литографии, сборке и герметизации. значительное внимание уделено контролю, обеспечению качества и надежности при изготовлении микроэлектронных устройств. Для инженерно-технических работников, мастеров и квалифицированных рабочих, занимающихся производством МЭУ.
|
| 112 |
|
Оборудование ионной имплантации / В. В. Симонов [и др.]. — М.: Радио и связь, 1988. — 182 с.: ил. — Библиогр.: с. 170-181. — ISBN 5-256-00007-1: 0.70. |
| 113 |
|
Ионная имплантация / Х. Риссел, И. Руге ; пер. с нем. В. В. Климова, В. Н. Пальянова, под ред. М. И. Гусевой. — М.: Наука, 1983. — 360 с.: ил. — Библиогр.: с. 345-346. — 4.50.
|
| 114 |
|
Повышение износостойкости сверхвысокомолекулярного полиэтилена ионной имплантацией AIBx+, N+ и облучением электронным пучком: дис. ... канд. техн. наук : 05.16.09 / Т. Пувадин ; науч. рук. С. В. Панин; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск), Томский политехнический университет (Томск). — Томск, 2012. — 158 л.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 145-158.
|
| 115 |
|
Субмикронные технологии / Рос. АН, Физико-технологический институт; отв. ред. тома В. Н. Репин. — М.: Наука, 1995. — 79 с.: ил. — (Труды Физико-технологического института РАН / гл. ред. К. А. Валиев, 0868-7129). — Библиогр. в конце ст. — ISBN 5-02-000831-1: 4600.00. |
| 116 |
|
Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках / В. С. Вавилов, А. Е. Кив, О. Р. Ниязова. — М.: Наука, 1981. — 368 с.: ил. — (Физика полупроводников и полупроводниковых приборов). — Библиогр.: с. 367-368. — 2.90.
|
| 117 |
|
Действие излучений на полупроводники / В. С. Вавилов, Н. П. Кекелидзе, Л. С. Смирнов. — М.: Наука, 1988. — 191 с.: ил. — Предм. указ.: с. 188. — Библиогр.: с. 180-181. — ISBN 5-02-013834-7: 1.20.
|
| 118 |
|
Повышение износостойкости меди при трении в атмосфере инертного газа методами ионной имплантации и нанесения покрытий: автореферат дис. канд. техн. наук: 01.04.07 / С.Ю. Жарков; науч. рук. В.П. Сергеев; Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики прочности и материаловедения Сибирского отделения Российской академии наук (Томск). — Томск, 2019. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18.
|
| 119 |
|
Зарубежная военная техника : обзоры / Центральный научно-исследовательский институт информации и технико-экономических исследований (М.). — Москва; : ЦНИИ информации.
: Приемники и преобразователи оптического излучения. Ионное легирование соединений InP и InGaAs / А. В. Микуленок. — Москва: ЦНИИ информации, 1987. — 44 с.: граф. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с. 37-44.
В обзоре рассмотрены особенности процесса образования радиационных дефектов в соединениях и их постимплатационного отжига, закономерности активации внедренных примесных атомов, обеспечивающих электронную или дырочную проводимость слоев, влияние радиационных дефектов на структурные и электрические характеристики получаемых слоев. Обсуждается выбор легирующей примеси для изготовления различных приборных структур на основе InP и InGaAs.
|
| 120 |
|
Discharges and Electrical Insulation in Vacuum: Proceedings / XVIIIth International Symposium on Discharges and Electrical Insulation in Vacuum. — Eindhoven: Eindgoven University of Technology, 1998. — 405-832 p.: il. — Author Index: p. 829-832. — ISBN 0-7803-3953-3.
|