Экспериментально и расчетами из первых принципов изучен эффект уменьшения энергии связи поверхностных атомов мышьяка при адсорбции Cs на As-стабилизированную поверхность CаAs(001)-(2х4). Cs-индуцированное перераспределение заряда на поверхностных атомах вызывает уменьшение электронной плоскости в связи As-Ca верхнего слоя поверхности CаAs(001), что уменьшает энергию связи As-Ca и, как следствие, приводит к уменьшению энергии активации диффузии и десорбции атомов мышьяка. Увеличение коэффициента диффузии поверхностных атомов наряду со свойством Cs сегрегироватьна поверхность растущей пленки полупроводника позволили использовать цезий в качестве суфрактанта при низкотемпературном росте CaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии.

В монографии представлены результаты работ ИФП СО РАН по развитию нанотехнологии и методов диагностики для создания нового поколения устройств и приборов современной микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: технологии молекулярно-лучевой эпитаксии; методы наноструктурирования, позволяющие создавать двух- и трехмерные наноструктуры различных форм и геометрии; современные методы диагностики полупроводниковых наноструктур с атомным разрешением; результаты применения нанотехнологии для изготовления устройств наноэлектроники. Монография представляет интерес для специалистов в области физики полупроводников, физики и химии твердого тела, микро-, наноэлектроники и нанотехнологии.