Исследование поверхностей переходных металлов методом электронной оже-спектроскопии с разрешением по спину: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / А. С. Камочкин ; науч. рук. В. Н. Петров, оппоненты: А. Н. Андронов, И. И. Пронин; Санкт-Петербургский государственный политехнический университет (СПб.), Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена. — СПб., 2003. — 16 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15-16.

Температура фазовых превращений в контакте разнородных металлических пленок: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Р. А. Мусуков ; науч. рук. Е. М. Панченко, оппоненты: Ю. М. Гуфан, А. Н. Павлов; Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х. М. Бербекова (Нальчик), Северо-Осетинский государственный университет (Владикавказ), Южный федеральный университет (Ростов н/Д). — Ростов н/Д, 2011. — 21 с.: граф. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 19-21.

Прямой детекторный метод исследования малых примесей атмосферы: автореферат дисс. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.01 / С. Ж. Токтомышев ; офиц. оппоненты: Р. И. Солоухин, В. Г. Истомин, В. Г. Дудников; Ин-т космических исследований АН СССР, Фрунзенский политехнический ин-т КиргССР. — М., 1982. — 31 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 29-33.

Генерация терагерцового излучения при коллективных взаимодействиях электронных и лазерных пучков с плазмой: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.08 / И. В. Тимофеев ; науч. конс. К. В. Лотов, офиц. оппоненты: И. Ю. Костюков, А. А. Кузнецов, В. И. Орешкин; Ин-т ядерной физики им. Г. И. Будкера СО РАН, Физический ин-т им. П. Н. Лебедева РАН. — М., 2018. — 20 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-20.

Закономерности электронного транспорта и перетекания заряда в тонких пленках на основе графена с вертикально ориентированными углеродными нанотрубками при модификации нанополостей пленок молекулярными кластерами бора и кремния : автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 1.3.5. / Д. А. Колосов ; науч. рук. О. Е. Глухова, офиц. оппоненты: Д. В. Завьялов, Н. Г. Бобенко; Саратовский нац. исслед. гос. ун-т им. Н. Г. Чернышевского, Ин-т нанотехнологий микроэлектроники РАН (М.). — Б.м., 2021. — 23 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-23.