| 101 |
|
Компьютерное моделирование взаимодействия частиц с поверхностью твердого тела / В. Экштайн ; пер. с англ. М. Г. Степановой ; под ред. Е. С. Машковой. — М.: Мир, 1995. — 321 с.: ил. — Парал. тит. лист англ. — Предм. указ.: с. 316-317. — Библиогр.: с. 311-314. — ISBN 5-03-002506-5: 27.00.
|
| 102 |
|
Радиационное распухание металлов: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / А. Х. Аль-Самави ; науч. рук. В. Л. Орлов, оппоненты: В. А. Плотников, Ю. Г. Воров; Алтайский государственный технический университет им. И. И. Ползунова (Барнаул), Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск). — Барнаул, 2004. — 19 с.: граф. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 19.
|
| 103 |
|
Инжекционные токи в твердых телах / М. Ламперт, П. Марк ; пер. с англ. А. И. Розенталя, Л. Г. Парицкого, под ред. С. М. Рывкина. — М.: Мир, 1973. — 416 с.: ил. — Имен. указ.: с. 408-410. — Предм. указ.: с. 411-413. — Библиогр.: с. 373-407. — 2.75.
Книга посвящена новому разделу физики твердого тела и твердотельной электроники — исследованию монополярной и двойной инжекции носителей заряда. Рассматриваемые явления имеют большое значение для понимания механизма прохождения тока через изоляторы и полупроводники, служат эффективным средством исследования электрических свойств твердых тел и, кроме того, имеют много важных технических применений, в частности в диэлектрической электронике и оптоэлектронике. Предмет книги изложен на нескольких уровнях — от качественного рассмотрения и феноменологических расчетов до строгого количественного анализа. Значительное место уделено обсуждению экспериментальных результатов. Книга рассчитана на широкий круг научных работников — специалистов в области физики полупроводников и диэлектриков, инженеров, занимающихся исследованием электронных процессов в твердом теле, а также на студентов старших курсов и аспирантов соответствующих специальностей.
|
| 104 |
|
Теория связанных состояний и ионизационного равновесия в плазме и твердом теле / В. Эбелинг, В. Крефт, Д. Кремп ; пер. с англ. А. С. Каклюгина, под ред. Г. Э. Нормана. — М.: Мир, 1979. — 262 с.: граф. — Библиогр.: с. 246-260. — 1.90.
В книге, написанной физиками-теоретиками ГДР, внесшими важный вклад в разработку статистической теории систем заряженных частиц, рассматриваются общие вопросы статистической механики и термодинамики электронно-ионных систем, а также конкретные приложения к низкотемпературной неидеальной плазме и к плазме в полупроводниках. Книга рассчитана на специалистов в области физики плазмы, физики твердого тела, квантовой статистики, а также на аспирантов и студентов старших курсов, специализирующихся в данной области.
|
| 105 |
|
Проводимость ионных кристаллов при импульсном облучении сверхплотными пучками электронов: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Э. Г. Таванов ; науч. рук. Д. И. Вайсбурд, офиц. оппоненты : М. А. Эланго, Г. Ф. Караваев; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева, Томский политехнический институт им. С. М. Кирова. — Томск, 1980. — 17 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16-17.
|
| 106 |
|
Изменение упругих свойств и внутреннего трения монокристаллов галогенидов щелочных металлов в зависимости от состава и воздействия облучения: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / И. Н. Гырбу ; науч. рук.: Е. К. Завадовская, А. А. Ботаки, офиц. оппоненты: П. А. Савинцев, В. А. Кучин; Томский политехнический институт им С. М. Кирова (Томск), Научно-исследовательский институт радиационной физики (Томск), Воронежский политехнический институт (Воронеж). — Томск, 1974. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 19.
|
| 107 |
|
Влияние электронных возбуждений на процессы дефектообразования и диффузии в полупроводниках: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / З. А. Искандерова ; науч. рук.: А. Е. Кив, М. А. Кривов, офиц. оппоненты: Л. Н. Овандер, Г. Ф. Караваев; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск), Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск), Криворожский государственный пединститут, Институт ядерной физики АН КазССР. — Томск, 1975. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-22.
|
| 108 |
|
Свойства ионных кристаллов при высоких плотностях ионизации: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / Д. И. Вайсбурд ; офиц. оппоненты: К. С. Александров, О. В. Богданкевич, Ч. Б. Лущик; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Институт сильноточной электроники СО АН СССР (Томск), Институт физики твердого тела АН СССР (Черноголовка). — М., 1984. — 50 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 45-49.
|
| 109 |
|
Роль баллистических и термодинамических факторов в процессах ионного смешивания двухслойных систем на основе Fe и V: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / И. А. Комаровский ; науч. рук. Л. П. Чупятова, офиц. оппоненты: М. И. Гусева, А. В. Белый; Московский институт стали и сплавов (М.), ЦНИИЧермет. — М., 1990. — 26 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 25-26.
|
| 110 |
|
Температурная зависимость проводимости ионных кристаллов при импульсном облучении сильноточными пучками электронов: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / В. А. Наминов ; науч рук. Д. И. Вайсбурд, офиц. оппоненты: Э. Д. Алукер, В. С. Старцев; Уральский политехнический ин-т им. С. М. Кирова, Ин-т физики АН ЭССР. — М., 1982. — 21 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15-16.
|