| 21 |
|
Труды V Международной научной конференции "Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах", 28 июля - 4 августа 2006 г., Томск, Россия / Рос. фонд фундаментальных исследований, Международный научно-технический центр, Рос. академия естественных наук, Томский политехнический университет; отв. ред. А. П. Суржиков. — Томск: Издательство ТПУ, 2006. — 490 с.: ил. — Авт. указ.: с. 480-490.
|
| 22 |
|
Труды III Международной научной конференции "Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах", 29 июля - 3 августа 2002 г., Томск, Россия / Рос. фонд фундаментальных исследований, Рос. акад. естественных наук, Томский политехнический университет, Алтайский государственный технический университет, Бурятский научный центр СО РАН; отв. ред. А. П. Суржиков. — Томск: Издательство ТПУ, 2002. — 390 с.: ил.
|
| 23 |
|
Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках / В. С. Вавилов, А. Е. Кив, О. Р. Ниязова. — М.: Наука, 1981. — 368 с.: ил. — (Физика полупроводников и полупроводниковых приборов). — Библиогр.: с. 367-368. — 2.90.
|
| 24 |
|
Отражение легких ионов от поверхности твердого тела / В. А. Курнаев, Е. С. Машкова, В. А. Молчанов. — М.: Энергоатомиздат, 1985. — 192 с.: ил. — Библиогр.: с. 186-191. — 2.50.
|
| 25 |
|
Взаимодействие электронных пучков средних энергий с сегнетоэлектрическими материалами / А. Г. Масловская, И. Б. Копылова. — Владивосток: Дальнаука, 2010. — 202, [1] с.: ил.; 22 см. — Библиогр.: с. 180-200. — ISBN 978-5-8044-1069-9: 154.00.
В монографии рассматриваются вопросы изучения различных аспектов взаимодействия электронного зонда с сегнетоэлектрическими материалами, а также возможности их использования для формирования изображений доменной структуры сегнетоэлектриков методами растровой электронной микроскопии. Приводятся результаты исследований инжекционных, радиационно-стимулированных и тепловых эффектов, возникающих в полярных диэлектриках при облучении электронами средних энергий. Описаны методы контроля процессов накопления и релаксации инжектированных зарядов в поверхностном слое сегнетоэлектриков. Представлены анализ и теоретическое обоснование новой аналитической методики электронного зондирования сегнетоэлектриков - режима электронно-стимулированных поляризационных токов. Рассматривается метод визуального наблюдения распределения по поверхности активности скачков Баркгаузена. Приведены результаты моделирования взаимодействия электронных пучков с активными материалами. Монография предназначена для специалистов, работающих в области сегнетоэлектричества, а также растровой электронной микроскопии.
|