Книга содержит обзор известных в настоящее время работ по физико-химическим свойствам, технологии изготовления и техническому применению поли- и монокрасталлического карбида кремния. Особое внимание уделено использованию его в качестве полупроводникового материала в приборах, работающих при температуре 500-600 град С. Книга рассчитана на инженеров и научных работников, в частности работающих в области физики полупроводников и радиоэлектроники. Она может быть использована также аспирантами и студентами соответствующих специальностей.

Рассматривается образование глубоких уровней при термообработке, облучении и введении примесных атомов в полупроводниках; обобщаются результаты изучения влияния глубоколежащих уровней на электрические, фотоэлектрические и оптические свойства полупроводника; выясняются причины образования глубоколежащих уровней в запрещенной зоне полупроводника, заключающиеся в сложном взаимодействии дефектов кристаллической решетки с дефектами, образующимися при внешних воздействиях или с примесными атомами. Для научных работников, преподавателей, аспирантов и студентов старших курсов.

В предполагаемом справочнике в краткой форме систематизированы современные данные по основным теплофизическим свойствам большинства известных материалов и некоторых жидкостей, газов, химических и пищевых продуктов. Табличные данные по теплопроводности, плотности, теплоемкости, коэффициенту температуропроводности, среднему температурному коэффициенту теплового расширения, температуре плавления, кипения и по другим свойствам приведены в зависимости от температуры, давления и состава. Для научных работников, технических специалистов различных отраслей промышленности, студентов, изобретателей и новаторов производства.