Некоторые вопросы теории гиперядер: автореферат дис. ... д-р физ.-мат. наук : 01.04.16 / В. А. Филимонов ; офиц. оппоненты: Л. М. Барков, Д. Ф. Курдгелаидзе, М. П. Рекало; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск). Научно-исследовательский институт ядерной физики, электроники и автоматики (Томск) , Институт теоретической физики АН Украинской ССР (Харьков). — Томск, 1974. — 39 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 29-30.

Особенности взаимодействия электронов и позитронов с твердым телом: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.01 / И. А. Цехановский ; науч. рук.: А. А. Воробьев , С. А. Воробьев , офиц. оппоненты: Б. А. Кононов , А. Ф. Аккерман; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Научно-исследовательский институт ядерной физики, электроники и автоматики (Томск), Московский инженерно-физический институт (М.). — Томск, 1974. — 23 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15-16.

Некоторые вопросы теории неустойчивости электронно-дырочной плазмы в электрическом и магнитном полях: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Ю. И. Ципивка ; науч. рук.: В. А. Чалдышев, Г. Ф. Караваев, офиц. оппоненты: В. И. Гаман, Е. А. Литвинов; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск), Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск), Институт физики полупроводников (Новосибирск). — Томск, 1974. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-22.

Исследование процессов преобразования радиационных дефектов в кристаллах CaF2: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / В. Ф. Штанько ; науч. рук.: В. А. Москалев, В. М. Лисицын, офиц. оппоненты: Г. А. Михальченко, Н. А. Битовский; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Институт физики АН Латвийской ССР (Тарту). — Томск, 1975. — 15 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15.

Экспериментальное исследование переходных эффектов в электронно-фотонных ливнях: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.16 / Э. Б. Шошин ; науч. рук. А. М. Кольчужкин, офиц. оппоненты: И. П. Иваненко, В. М. Кузнецов; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Научно-исследовательский институт ядерной физики (Томск), Физический институт им. П. Н. Лебедева (М.). — Томск, 1975. — 16 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 11.

Применение ионного проектора к изучению поверхности кристаллических наростов тугоплавких металлов : автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.01 / Б. М. Шайхин ; науч. рук. В. Н. Шредник, офиц. оппоненты: Ю. С. Коробочко, П. И. Антонов; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (Л.), Институт физики металлов УНЦ АН СССР (Свердловск). — Л., 1975. — 13 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 13.

Исследование и разработка сверхизлучающих источников ВУФ, УФ и видимого диапазонов спектра: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.11.07 / В. Н. Старинский ; науч. рук.: В. Н. Лисицын, В. Н. Ищенко, офиц. оппоненты: Л. В. Дубовой, Ю. А. Балошин; Ленинградский институт точной механики и оптики (Л.), Институт физики полупроводников СО АН СССР (Новосибирск), Государственный оптический институт им. С. И. Вавилова. — Л., 1975. — 14 с. — Для служебного пользования. — На правах рукописи. — Библиогр: с. 14.

Электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов CdS - GaAs, полученных эпитаксией сульфида кадмия из паровой фазы: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / В. М. Лупин ; науч. рук. П. Е. Рамазанов, офиц. оппоненты: А. П. Воробьев, И. С. Захаров; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск), Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск), Одесский государственный университет им. И. И. Мечникова (Одесса). — Томск, 1975. — 15 с. — Библиогр.: с. 14-15.

Исследование особенностей прохождения электрического тока в полупроводниках с биполярной анизотропной проводимостью: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / В. А. Мисьник ; науч. рук. В. А. Чалдышев, офиц. оппоненты : Г. А. Воробьев, Б. А. Успенский; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева, Институт физики им. Л. В. Киренского СО АН СССР, Институт полупроводников АН УССР. — Томск, 1975. — 24 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 23-24.

Фотообразование заряженных П- и К-мезонов с парциальными ядерными переходами: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.16 / А. А. Сидоров ; науч. рук. В. А. Филимонов, офиц. оппоненты: Ю. П. Ранюк, В. М. Вымятнин; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Научно-исследовательский институт ядерной физики (Томск), Ереванский физический институт (Ереван). — Томск, 1982. — 15 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15.