Моделирование процессов и методы расчета масляных фильтров машин химической технологии: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.17.08 / Н. Н. Шевченко ; науч. рук. Э. И. Удлер, офиц. оппоненты: И. К. Лебедев, В. П. Гусев; Томский инженеро-строительный институт, Томский нефтехимический комбинат. — Томск, 1990. — 16 с. — На правах рукописи.

Электрические и газочувствительные характеристики полупроводниковых сенсоров на основе тонких пленок SnO2: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / О. В. Анисимов ; науч. рук. Н. К. Максимова, офиц. оппоненты : А. В. Войцеховский, Г. И. Айзенштат; Сибирский физико-технический институт Томского государственного университета, Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Томский политехнический университет. — Томск, 2007. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-19.

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / В. А. Новиков ; науч. рук. В. Н. Брудный, офиц. оппоненты : А. П. Коханенко, Г. Е. Ремнев; Томский государственный университет, Сибирский физико-технический институт, Институт мониторинга климатических и экологических систем СО РАН, Томский политехнический университет. — Томск, 2007. — 24 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 22-24.

Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / И. В. Каменская ; науч. рук. В. Н. Брудный, офиц. оппоненты : Н. П. Криворотов, В. Н. Давыдов; Томский государственный университет, Томский государственный педагогический университет, Томский политехнический университет. — Томск, 2007. — 23 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-23.

Деформация и разрушение модифицированных ионными пучками материалов при трении: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 01.04.07 / Б. П. Гриценко ; науч. консультант В. М. Лисицын, офиц. оппоненты: В. П. Кривобоков, А. А. Батаев, Ю. Ф. Иванов; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск), Томский политехнический университет (Томск), Институт машиноведения УрО РАН. — Томск, 2007. — 30 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 25-30.