21 |
|
Магнетронные распылительные системы / А. И. Кузьмичёв. — Киев; : Аверс.
: Введение в физику и технику магнетронного распыления. — Киев: Аверс, 2008. — 244 с.: ил. — Библиогр.: с. 215-244. — ISBN 966-8934-07-5.
Рассмотрены физические основы магнетронного распыления и разновидности магнетронных систем для нанесения тонких плёнок и покрытий различного назначения, в том числе системы с усиленной ионизацией газовой среды и импульсные магнетронные распылительные системы. Для научных и инженерно-технических работников, аспирантов и студентов высших технических заведений, специализирующихся в области электронных физико-технических устройств и ионно-плазменных технологий для электроники, оптики и машиностроения.
|
22 |
|
Распыление диэлектриков нейтральными атомами средних энергий: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / О. Л. Рязанцева ; науч. рук. Л. А. Сена; Ленинградский горный институт им. Г. В. Плеханова (Л.). — Ленинград, 1984. — 173 с. — Для служебного пользования. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 165-173.
|
23 |
|
Ионно-плазменные процессы в тонкопленочной технологии: монография / Е. В. Берлин, Л. А. Сейдман. — М.: Техносфера, 2010. — 527 с.: ил. — (Мир материалов и технологий). — Библиогр. в конце гл. — ISBN 978-5-94836-222-9: 550.00.
Настоящая книга представляет собой подробное справочное руководство по основным вакуумным плазмохимическим процессам в тонкопленочной технологии — реактивному магнетронному нанесению тонких пленок и ионно-плазменному травлению. В ней обобщено современное состояние этих процессов. Книга содержит подробное описание магнетронных напылительных установок и плазмохимических установок для травления тонких пленок. Рассмотрены технологические особенности их использования. Описаны способы управления процессами реактивного нанесения тонких пленок и использования среднечастотных импульсных источников питания. Показаны технологические особенности получения тонких пленок тройных химических соединений методом реактивного магнетронного сораспыления. Описана структура получаемых пленок и ее зависимость от параметров процесса нанесения. Приведены принципы конструирования источника высокочастотного разряда высокой плотности для ионного или плазмохимического прецизионного травления тонких пленок, а также его использования для стимулированного плазмой осаждения тонких пленок. Книга рассчитана на специалистов, занимающихся исследованием, разработкой и изготовлением различных изделий электронной техники и нанотехнологии, совершенствованием технологии их производства и изготовлением специализированного оборудования. Она также будет полезна в качестве учебного пособия для студентов старших курсов и аспирантов соответствующих специализаций.
|
24 |
|
Разработка ионно-плазменных методов нанесения покрытий и азотирования перспективных конструкционных материалов: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.13 / А. С. Мамаев ; науч. рук. Н. В. Гаврилов, офиц. оппоненты : В. В. Овчинников, Е. М. Окс; Институт электрофизики УрО РАН, Институт сильноточной электроники СО РАН. — Екатеринбург, 2012. — 23 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-23.
|
25 |
|
Структурные особенности и свойства азотсодержащих тонких пленок диоксида титана, сформированных методом реактивного магнетронного распыления, для применения в медицине : автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / А. А. Пустовалова ; науч. рук. В. Ф. Пичугин, офиц. оппоненты : Л. Л. Мейснер, А. А. Клопотов; Нац. исслед. Томский политехнический ун-т, Ин-т электрофизики УрО РАН. — Томск, 2017. — 24 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 22-24.
|