Полнопотенциальным методом присоединенных плоских волн была рассчитана электронная структура серии полупроводниковых соединений III-IV групп со структурой цинковой обманки. Используется несколько приближений для обменно-корреляционного потенциала. Показано, что равновесные параметры решетки и объемные модули упругости находятся в хорошем согласии с экспериментом, а ширина запрещенной щели очень чувствительна к выбору приближений для обменно-корреляционного потенциала.

Исследовано влияние примесей замещения и вакансий на электронную структуру и оптические свойства кубического диоксида циркония. Показано, что наличие кислородных вакансий обусловливает появление дополнительных вакансионных состояний вблизи уровня Ферми, тогда как примесные атомы дают пренебрежимо малый вклад в состояния валентной зоны и дна зоны проводимости, и их влияние на кристалл носит в основном электростатический характер. Достигнуто понимание причин, способствующих стабилизации высокотемпературных фаз ZrO2 при добавлении Y2O3 и MgO. Получено хорошее согласие с экспериментальными рентгеновскими фотоэмисионными спектрами и оптическими характеристиками.