| 6 |
|
Радиационная стойкость гетероструктур AIGaAs для светодиодов ИК-диапазона: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / П. В. Рубанов ; науч. рук. А. В. Градобоев, офиц. оппоненты : В. М. Зыков, А. П. Коханенко; Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Юргинский технологический институт (филиал), Научно-исследовательский институт приборов. — Томск, 2012. — 19 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-19.
|
| 7 |
|
Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / К. Н. Орлова ; науч. рук. А. В. Градобоев, офиц. оппоненты : В. И. Олешко, А. В. Войцеховский; Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Юргинский технологический институт (филиал), Научно-исследовательский институт приборов. — Томск, 2013. — 21 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 20-21.
|
| 8 |
|
Излучательные и внутрицентровые безызлучательные переходы с высоколежащих уровней иона Nd3+ в лазерных матрицах: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.21 / А. Ю. Дергачев ; науч. рук. Т. Т. Басиев, офиц. оппоненты: Е. Б. Свешникова, В. И. Жеков; Институт общей физики АН СССР, Институт радиоэлектроники АН СССР. — М., 1991. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-18.
|
| 9 |
|
Корундо-циркониевая нанокерамика, полученная с использованием высокоинтенсивных потоков энергии: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / А. С. Ивашутенко ; науч. рук. Ю. М. Анненков, офиц. оппоненты: С. В. Смирнов, А. А. Громов; Томский политехнический университет, Уральский государственный технический университет - УПИ им. Б. Н. Ельцина. — Томск, 2010. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 20-22.
|
| 10 |
|
Дефектообразование и массоперенос в ионных структурах при интенсивном облучении ионизирующей радиацией: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / Ю. М. Анненков ; офиц. оппоненты : Э. Д. Алукер, В. Н. Брудный, А. И. Непомнящих; Томский политехнический университет, Уральский государственный технический университет. — Томск, 2002. — 42 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 39-42.
|