Структура и магниторезистивные свойства направленно закристаллизованных эвтектических сплавов InSb-NiSb, получаемых в различных условиях перемешивания расплавов: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.16.02 / Д. В. Брюквин ; науч. рук. В. С. Земсков, оппоненты: В. В. Аверин, В. В. Раков; Институт металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова РАН (М.), Московский институт стали и сплавов (М.), каф. Материаловедения полупроводников. — М., 2002. — 33 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 31-33.

Формирование ленточных и псевдоленточных пучков ионов металлов и плазмы: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.20 / Д. О. Сивин ; науч. рук. А. И. Рябчиков, офиц. оппоненты : Ю. П. Усов, С. В. Смирнов; Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Институт сильноточной электроники СО РАН. — Томск, 2010. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-22.

Оборудование и методы импульсно-периодической ионной и плазменной обработки материалов: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 01.04.20 / И. Б. Степанов ; научн. конс. А. И. Рябчиков, офиц. оппоненты : Н. В. Гаврилов, Г. Е. Ремнев, Г. Ю. Юшков; Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. — Томск, 2010. — 44 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 38-44.

Моделирование захвата и вывода электронного пучка бетатрона с азимутальной вариацией поля: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.20 / Т. С. Иванилова ; науч. рук. Ю. Н. Адищев, офиц. оппоненты : В. Л. Чахлов, В. М. Попик; Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Петербургский институт ядерной физики им. Б. П. Константинова РАН. — Томск, 2010. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-22.

Моделирование процессов прессования композиционных материалов [Рукопись] : автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.16.06 / Г. В. Перельман; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова. — Пермь, 2013. — 22 с.; 21 см.