361 |
|
Цифровые фильтры и устройства обработки сигналов на интегральных микросхемах / Ф. Б. Высоцкий [и др.] ; под ред. Б. Ф. Высоцкого. — М.: Радио и связь, 1984. — 214 с.: ил. — (Проектирование радиоэлектронной аппаратуры на интегральных микросхемах). — Библиогр.: с. 210-213. — 1.10.
|
362 |
|
ANSYS для инженеров: справ. пособие / А. В. Чигарев, А. С. Кравчук, А. Ф. Смалюк. — М.: Машиностроение, 2004. — 511 с.: ил.; 21 см. — Библиогр.: с. 511. — ISBN 5-94275-048-3: 643.00.
Целью книги является обучение пользователя основам использования ANSYS для решения инженерных задач. В книге дано описание применения средств графического интерфейса программы для создания твердотельных моделей, их разбиения, выбора физической модели поведения материла, выполнения и визуализации результатов. Это по мнению авторов должно существенно облегчить обучение студентов, инженеров и научных работников использованию ANSYS. Для иллюстрации материала приведен ряд примеров решения задач расчета на прочность с использованием упругих и пластичных материалов, а также простейшая задача теплообмена. Подробно рассмотрены все важные этапы подготовки задачи, ее решения и отображения результатов. Примеры сопровождаются подробными пояснениями использования пунктов главного меню, и где это взаимно, текстом соответствующих команд. Книга ориентирована на читателя, имеющего определенное представление о принципах работы различных пакетов САПР, а также базовые знания в области механики твердого тела и теплообмена. Может быть использована в качестве справочного пособия студентами старших курсов технических вузов и инженерами при проведении проектно-конструкторских работ.
|
363 |
|
Эффективность и надежность сложных систем : информация, оптимальность, принятие решений / И. Л. Плетнев [и др.]. — М.: Машиностроение, 1977. — 216 с.: ил. — Библиогр.: с. 213-215. — 0.90.
|
364 |
|
Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения / К. И. Таперо, В. Н. Улимов, А. М. Членов. — М.: Бином. Лаборатория знаний, 2012. — 304 с.: ил.; 22 см. — Библиогр.: с. 289-297. — ISBN 978-5-9963-0633-6: 324.00.
В монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно космического пространства, на характеристики изделий микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: основы физики взаимодействий ИИ с полупроводниками; изменение электрофизических параметров приборных структур в результате образования наноразмерных дефектов под действием ИИ; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/Si02 и их влияние на характеристики приборов и микросхем; особенности радиационных испытаний изделий, изготовленных по МОП-, КМОП-, а также по биполярной технологии, на стойкость к воздействию низкоинтенсивного ИИ; одиночные события в изделиях микро- и наноэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц. Для технических специалистов, работающих в области электроники, а также для студентов и аспирантов.
|
365 |
|
Оптимизация аналоговых элементов и устройств автоматики электроэнергетических систем / Б. С. Стогний [и др.] ; отв. ред. В. В. Рогоза; АН УССР, Институт электродинамики. — Киев: Наукова думка, 1986. — 205 с.: ил. — Библиогр.: с. 197-203. — 2.50.
|
366 |
|
Планирование эксперимента в электромеханике / Б. А. Ивоботенко, Н. Ф. Ильинский, И. П. Копылов. — М.: Энергия, 1975. — 184 с.: ил. — Библиогр.: с. 181-184. — 0.83.
|
367 |
|
Проектирование ключевых источников электропитания / П. Четти ; пер. с англ. С. ф. Коняхина, под ред. В. С. Моина. — М.: Энергоатомиздат, 1990. — 238 с.: ил. — Предм. указ.: с. 230-232. — Библиогр. в конце глав. — ISBN 5-283-02471-7: 1.30.
|
368 |
|
Микропроцессоры и машинное проектирование микропроцессорных систем : в 2-х кн. / М. Рафикузаман. — М.; : Мир.
:. — М.: Мир, 1988. — 312 с.: ил. — ISBN 5-03-001135-8: 2.30.
|
369 |
|
Микропроцессоры и машинное проектирование микропроцессорных систем : в 2-х кн. / М. Рафикузаман. — М.; : Мир.
:. — М.: Мир, 1988. — 288 с.: ил. — ISBN 5-03-001136-6: 2.10.
|
370 |
|
Ударные униполярные генераторы / В. А. Глухих [и др.]. — Л.: Энергоатомиздат. Ленинградское отделение, 1987. — 170 с.: ил. — Библиогр.: с. 166-168. — 0.65.
|